Infineon MOSFET MOSFET 6 A 2 8-Pin DSO 17V 9 ns
Technische Daten
- Abfallzeit
- 9ns
- Anstiegszeit
- 10ns
- Anzahl der Treiber
- 2
- Ausgangsstrom
- 6A
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gehäusegröße
- DSO
- Höhe
- 2.65mm
- Länge
- 7.6mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 125°C
- Maximale Versorgungsspannung
- 17V
- Minimale Versorgungsspannung
- 15V
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- 1EDC60H12AH
- Treiber-Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Der Infineon 1EDCxxH12AH ist ein galvanisch getrennter Einkanal-IGBT-Treiber in einem PG-DSO-8-59-Gehäuse, der einen Ausgangsstrom von bis zu 10 A an getrennten Ausgangsstiften liefert. Die Eingangslogikstifte arbeiten mit einem großen Eingangsspannungsbereich von 3 V bis 15 V unter Verwendung eines skalierten CMOS-Schwellenwerts, um sogar 3,3-V-Mikrocontroller zu unterstützen. Die Datenübertragung über die Isolierungsbarriere erfolgt über die kernlose Transformatortechnologie.Einkanaliger isolierter IGBT-Treiber Für 600 V/650 V/1200 V IGBTs, MOSFETs und SiC MOSFETs Bis zu 10 A typischer Peak Current an Rail-to-Rail-Ausgängen Separate Ausgangs- und Senken-Quelle
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Gate-Treiber
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