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Infineon MOSFET MOSFET 4 A 8-Pin SOIC 18V 4.5 ns

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IR11662STRPBF

Produkt-Nr.: P-DRCN3P-DRSX6P

Technische Daten

Abfallzeit
4.5ns
Anstiegszeit
181ns
Ausgangsstrom
4A
Betriebstemperatur min.
-25°C
Gehäusegröße
SOIC
Höhe
1.75mm
Länge
5mm
Maximale Betriebstemperatur
125°C
Maximale Versorgungsspannung
18V
Minimale Versorgungsspannung
20V

Produktbeschreibung

Gate-Treiber

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