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Infineon MOSFET MOSFET 4 A 8-Pin SOIC 18V 4.5 ns

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IR11662STRPBF

Produkt-Nr.: P-DRCN3N-DRSX6N

Technische Daten

Abfallzeit
4.5ns
Anstiegszeit
181ns
Ausgangsstrom
4A
Betriebstemperatur min.
-25°C
Gehäusegröße
SOIC
Höhe
1.75mm
Länge
5mm
Maximale Betriebstemperatur
125°C
Maximale Versorgungsspannung
18V
Minimale Versorgungsspannung
20V

Produktbeschreibung

Der Infineon 200V-sekundärseitige Hochgeschwindigkeits-SR-Controller in einem 8-adrigen SOIC-Gehäuse.Sekundärseitiger Hochgeschwindigkeits-SR-Controller DCM-, CrCM-Flyback- und Resonanz-Halbbrücken-Topologien Proprietäre 200-V-IC-Technologie Max. 500 kHz Schaltfrequenz Anti-Prellen-Logik und UVLO-Schutz 4 A Peak Ausschaltstrom

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