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Infineon MOSFET MOSFET 4 A 2 8-Pin DSO 17V 9 ns

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: 1EDC40I12AHXUMA1

Produkt-Nr.: P-DRJHX7-DRXJXG

Technische Daten

Abfallzeit
9ns
Anstiegszeit
10ns
Anzahl der Treiber
2
Ausgangsstrom
4A
Betriebstemperatur min.
-40°C
Gehäusegröße
DSO
Höhe
2.65mm
Länge
7.6mm
Maximale Betriebstemperatur
125°C
Maximale Versorgungsspannung
17V

Produktbeschreibung

Der Infineon 1EDCxxI12AH ist ein galvanisch getrennter Einkanal-IGBT-Treiber in einem PG-DSO-8-59-Gehäuse, der einen Ausgangsstrom von bis zu 10 A an getrennten Ausgangsstiften liefert. Die Eingangslogikstifte arbeiten mit einem großen Eingangsspannungsbereich von 3 V bis 15 V unter Verwendung eines skalierten CMOS-Schwellenwerts, um sogar 3,3-V-Mikrocontroller zu unterstützen. Die Datenübertragung über die Isolierungsbarriere erfolgt über die kernlose Transformatortechnologie.Einkanaliger isolierter IGBT-Treiber Für 600 V/650 V/1200 V IGBTs, MOSFETs und SiC MOSFETs Bis zu 10 A typischer Peak Current an Rail-to-Rail-Ausgängen Separate Ausgangs- und Senken-Quelle

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Gate-Treiber

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