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Infineon MOSFET MOSFET 3 A 2 8-Pin DSO 17V 9 ns

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: 1EDC30I12MHXUMA1

Produkt-Nr.: P-DRJHX5-DRXJXD

Technische Daten

Abfallzeit
9ns
Anstiegszeit
10ns
Anzahl der Treiber
2
Ausgangsstrom
3A
Betriebstemperatur min.
-40°C
Gehäusegröße
DSO
Höhe
2.65mm
Länge
7.6mm
Maximale Betriebstemperatur
125°C
Maximale Versorgungsspannung
17V

Produktbeschreibung

Der Infineon 1EDCxxI12MH ist ein galvanisch getrennter Einkanal-IGBT-Treiber in einem PG-DSO-8-59-Gehäuse, das einen Ausgangsstrom von bis zu 3 A und eine integrierte aktive Miller Klemmenschaltung mit dem gleichen Nennstrom bietet, um vor parasitärem Einschalten zu schützen. Die Eingangslogikstifte arbeiten mit einem großen Eingangsspannungsbereich von 3 V bis 15 V unter Verwendung eines skalierten CMOS-Schwellenwerts, um sogar 3,3-V-Mikrocontroller zu unterstützen. Die Datenübertragung über die Isolierungsbarriere erfolgt über die kernlose Transformatortechnologie.Einkanaliger isolierter Gate-Treiber Für 600 V/650 V/1200 V IGBTs, MOSFETs und SiC MOSFETs Bis zu 6 A typischer Peak Current am Rail-to-Rail-Ausgang Aktive Miller

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Gate-Treiber

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