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Infineon MOSFET MOSFET 290 mA 8-Pin SOIC 600V 90 ns

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRS2101STRPBF

Produkt-Nr.: P-DRFWLS-DRRP2T

Technische Daten

Abfallzeit
90ns
Anstiegszeit
170ns
Ausgangsstrom
290mA
Betriebstemperatur min.
-40°C
Gehäusegröße
SOIC
H��he
1.75mm
Länge
5mm
Maximale Betriebstemperatur
125°C
Maximale Versorgungsspannung
600V
Minimale Versorgungsspannung
20V

Produktbeschreibung

Der Infineon IRS2101 ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenzierten Ausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und Latch-ImmunCMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter auf 3,3-V-LogikVeränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb Voll betriebsfähig bis +600 V Tolerant gegenüber negativer Einschwingspannung, dV/dt-immun Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannung von 10 V bis 20 V Unterspannungsschutz

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Gate-Treiber

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