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Infineon MOSFET MOSFET 290 mA 8-Pin SOIC 20V 65 ns

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRS21271STRPBF

Produkt-Nr.: P-DRFWMD-DRRP3F

Technische Daten

Abfallzeit
65ns
Anstiegszeit
80ns
Ausgangsstrom
290mA
Betriebstemperatur min.
-40°C
Gehäusegröße
SOIC
Höhe
1.75mm
Länge
5mm
Maximale Betriebstemperatur
125°C
Maximale Versorgungsspannung
20V
Minimale Versorgungsspannung
20V

Produktbeschreibung

Der Infineon IRS21271 ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET und IGBT-Treiber für Hochspannung. Proprietäre HVIC- und Latch-ImmunCMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgängen bis 3,3 V.Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb Voll betriebsfähig bis +600 V Tolerant gegenüber negativer Einschwingspannung, -dV/dt immun

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