Infineon MOSFET MOSFET 290 mA 8-Pin SOIC 20V 65 ns
Technische Daten
- Abfallzeit
- 65ns
- Anstiegszeit
- 75ns
- Ausgangsstrom
- 290mA
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gehäusegröße
- SOIC
- Höhe
- 1.75mm
- Länge
- 5mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 125°C
- Maximale Versorgungsspannung
- 20V
- Minimale Versorgungsspannung
- 20V
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IRS
- Treiber-Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Der Infineon IRS2118 ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET und IGBT-Treiber für Hochspannung und hohe Geschwindigkeit. Proprietäre HVIC- und Latch-immune CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS-Ausgängen. Der Ausgangstreiber verfügt über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Querleitung ausgelegt ist. Der potenzialfreie Kanal kann verwendet werden, um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET oder IGBT in der Hoch- oder Niederspannungsseiten-Konfiguration anzutreiben, die bis zu 600 V arbeitetGate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 V bis 20 V. Unterspannungsschutz CMOS-Schmitt-Trigger-Eingänge mit Pull-Down Ausgang in Phase mit Eingang
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Gate-Treiber
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