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Infineon MOSFET MOSFET 290 mA 8-Pin SOIC 20V 65 ns

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRS2118STRPBF

Produkt-Nr.: P-DRFWMC-DRRP3D

Technische Daten

Abfallzeit
65ns
Anstiegszeit
75ns
Ausgangsstrom
290mA
Betriebstemperatur min.
-40°C
Gehäusegröße
SOIC
Höhe
1.75mm
Länge
5mm
Maximale Betriebstemperatur
125°C
Maximale Versorgungsspannung
20V
Minimale Versorgungsspannung
20V

Produktbeschreibung

Der Infineon IRS2118 ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET und IGBT-Treiber für Hochspannung und hohe Geschwindigkeit. Proprietäre HVIC- und Latch-immune CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS-Ausgängen. Der Ausgangstreiber verfügt über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Querleitung ausgelegt ist. Der potenzialfreie Kanal kann verwendet werden, um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET oder IGBT in der Hoch- oder Niederspannungsseiten-Konfiguration anzutreiben, die bis zu 600 V arbeitetGate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 V bis 20 V. Unterspannungsschutz CMOS-Schmitt-Trigger-Eingänge mit Pull-Down Ausgang in Phase mit Eingang

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Gate-Treiber

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