Infineon MOSFET MOSFET 1 A 8-Pin SOIC 20V 35 ns
Technische Daten
- Abfallzeit
- 35ns
- Anstiegszeit
- 40ns
- Ausgangsstrom
- 1A
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gehäusegröße
- SOIC
- Höhe
- 1.75mm
- Länge
- 5mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Versorgungsspannung
- 20V
- Minimale Versorgungsspannung
- 20V
- Normen/Zulassungen
- JEDEC JESD 47
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IRS2011
- Treiber-Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Der Infineon IRS2011 ist ein Hochleistungs-MOSFET-Treiber mit hohem und niedrigem Ausgangskanal mit Referenz auf der Seite. Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter auf 3,3-V-Logik. Der Ausgangstreiber verfügt über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist. Ausbreitungsverzögerungen werden angepasst, um den Einsatz in Hochfrequenzanwendungen zu vereinfachen.Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb Voll funktionsfähig bis 200 V Tolerant gegenüber negativer Einschwingspannung, dV/dt-immun Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 bis 20 V. Unabhängiger, niedriger und hoher Seitenkanal
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Gate-Treiber
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