Infineon Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber MOSFET 290 mA 1 8-Pin SOIC 600V 65 ns

Technische Daten

Abfallzeit

65ns

Anstiegszeit

200ns

Anzahl der Treiber

1

Ausgangsstrom

290mA

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

SOIC

Höhe

1.75mm

Länge

5mm

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Maximale Versorgungsspannung

600V