Infineon ISZ080N10 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 75 A 100 W, 8-Pin TSDSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

8.04mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

24nC

Gehäusegröße

TSDSON

Höhe

3.4mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

75A

Maximale Betriebstemperatur

175°C