Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche OptiMOSTM-Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 37 W, 8-Pin PG-TSDSON-8FL

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.7V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

17nC

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8FL

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

40A

Maximale Betriebstemperatur

150°C