Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 72 A 52 W, 8-Pin PG-TSDSON-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 5.6mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 7.4nC
- Gehäusegröße
- PG-TSDSON-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 72A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 52W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- ISZ
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 72A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = PG-TSDSON-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 5.6mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 7.4nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET