Infineon IST Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 475 A 250 W, 5-Pin HSOF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.6mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

178nC

Gehäusegröße

HSOF

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

475A

Maximale Betriebstemperatur

175°C