Zum Hauptinhalt springen

Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 990 mA 4.2 W, 3-Pin SOT-223

INFINEON Logo

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: ISP20EP10LMXTSA1

Produkt-Nr.: P-DRDX2S-DRM4JV

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
2Ω
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
3.5nC
Gehäusegröße
SOT-223
Kabelkanaltyp
Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
990mA
Maximale Betriebstemperatur
175°C

Produktbeschreibung

MOSFET

Produktangebot

Bestes Angebot

0,11 €

0,13 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Nicht vorrätig
Zustand: Neu
Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 1000Mengenintervall: 1000

Sichere Zahlung

VISA Logo
Mastercard Logo
American Express Logo
SEPA Überweisung Logo
Rechnung

Schneller Versand

DHL Express Logo
FedEx Logo
UPS Logo

etc.

Fragen zum Produkt?

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

Alle Angebote

Neu
Nicht vorrätig
12 Monate

0,11 €

0,13 € inkl. MwSt.*

Bestes Angebot
Neu
Nicht vorrätig
12 Monate

0,16 €

0,19 € inkl. MwSt.*

* zzgl. Versandkosten