Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 990 mA 4.2 W, 3-Pin SOT-223
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 3.5nC
- Gehäusegröße
- SOT-223
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 990mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 4.2W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- ISP
Produktbeschreibung
MOSFET
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
* zzgl. Versandkosten