Infineon Isoliert OptiMOS™ Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 1.5 A 500 mW, 6-Pin TSOP-6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

280mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.86V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

2.4nC

Gehäusegröße

TSOP-6

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

1.5A

Maximale Betriebstemperatur

150°C