Infineon Isoliert OptiMOS™ Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 1.5 A 500 mW, 6-Pin TSOP-6
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 280mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.86V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 2.4nC
- Gehäusegröße
- TSOP-6
- Kabelkanaltyp
- Typ N, Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 1.5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 500mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS™
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 1.5A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = TSOP-6
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 280mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 500mW
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101
Produktangebot
Weitere Angebote
Alle anzeigen (2)Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043422213
Alle Angebote
| 12 Monate | 0,13 € 0,15 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | |||
| 12 Monate | 0,23 € 0,27 € inkl. MwSt.* | Maximal 30900 verfügbar |
* zzgl. Versandkosten