Infineon Isoliert OptiMOS P Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2 A 500 mW, 6-Pin TSOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

130mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-0.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

-5nC

Gehäusegröße

TSOP

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2A

Maximale Betriebstemperatur

150°C