Infineon Isoliert HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 3.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 25V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 400mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 10nC
- Gehäusegröße
- SOIC
- Kabelkanaltyp
- Typ P, Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 3.5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ P, Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 3.5A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 25V
Serie = HEXFET
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 400mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043468761
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