Infineon Isoliert HEXFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 3.4 A 2 W, 8-Pin SOIC

Name: Infineon Isoliert HEXFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 3.4 A 2 W, 8-Pin SOIC
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF7342TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRLTDC-DRXTH6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 55V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 170mΩ
Durchlassspannung (Vf): -1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 26nC
Gehäusegröße: SOIC
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 3.4A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 2W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 3.4A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 55V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 170mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Betriebstemperatur min. = -55°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein