Infineon Isoliert HEXFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.9 A 2 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

98mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-0.78V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

23nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4.9A

Maximale Betriebstemperatur

150°C