Infineon Isoliert HEXFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 2.3 A 2 W, 8-Pin SOIC

Name: Infineon Isoliert HEXFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 2.3 A 2 W, 8-Pin SOIC
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF7104TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRK42F-DRT7FM

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 400mΩ
Durchlassspannung (Vf): -1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 9.3nC
Gehäusegröße: SOIC
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 2.3A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 2W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 2.3A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 400mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Betriebstemperatur min. = -55°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein