Infineon Isoliert HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 80 V Erweiterung / 3.6 A 2 W, 8-Pin SOIC

Name: Infineon Isoliert HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 80 V Erweiterung / 3.6 A 2 W, 8-Pin SOIC
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF7380TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRLTDD-DRXTH7

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 73mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 15nC
Gehäusegröße: SOIC
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 3.6A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 2W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 3.6A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 73mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein