Infineon Isoliert HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 50 V Erweiterung / 3 A 2 W, 8-Pin SOIC
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 50V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 200mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 12nC
- Gehäusegröße
- SOIC
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 3A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 3A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 50V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 200mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043597546
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