Infineon Isoliert F4 Typ N-Kanal MOSFET 1200 V / 25 A 20 mW, 2-Pin AG-EASY2B.

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

45mΩ

Durchlassspannung (Vf)

5.65V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

0.062μC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

15 V

Gehäusegröße

AG-EASY2B.

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

25A

Maximale Betriebstemperatur

150°C