Infineon ISK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 55 A 171 W, 6-Pin PQFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

25V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.81V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

80nC

Gehäusegröße

PQFN

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

55A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

171W