Infineon ISG Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 299 A 167 W, 10-Pin PG-WHITFN-10-1

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.88mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

69nC

Gehäusegröße

PG-WHITFN-10-1

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

299A

Maximale Betriebstemperatur

175°C