Infineon ISG Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 100 V / 139 A 167 W, 10-Pin PG-WHITFN-10-1

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

52nC

Gehäusegröße

PG-WHITFN-10-1

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

139A

Maximale Betriebstemperatur

175°C