Infineon ISC007N04NM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 48 A 188 W, 8-Pin TDSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.7mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 117nC
- Gehäusegröße
- TDSON
- Höhe
- 5.35mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 48A
- Länge
- 6.1mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 188W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- ISC007N04NM6
Produktbeschreibung
Der Infineon Infineon ISC007N04NM6 OptiMOSTM 6-Leistungs-MOSFET 40 V Normalpegel bietet eine Referenzlösung für Anwendungen mit normalem Niveau wie batteriebetriebene Anwendungen, batteriebetriebene Werkzeuge, Batterie- und Niederspannungsantriebe. Ein höherer Vth für das Portfolio der normalen Ebene bedeutet, dass nur größere Gate-Spannungsspitzen ein unerwünschtes Einschalten verursachen würden.N-Kanal-Verbesserungsmodus Normaler Gate-Schwellenwert 2,3 V typisch MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung 175 °C Sperrschichttemperatur
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
* zzgl. Versandkosten