Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche OptiMOST Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 63 A 30 W, 8-Pin PG-TDSON-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.89V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

13nC

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

63A

Maximale Betriebstemperatur

150°C