Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche N-Kanal MOSFET Erweiterung 120 V / 85 A 125 W, 8-Pin PG-TDSON-8

Name: Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche N-Kanal MOSFET Erweiterung 120 V / 85 A 125 W, 8-Pin PG-TDSON-8
Brand: INFINEON
Price: 3.01 EUR
Availability: InStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: ISC078N12NM6ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRHLBM-DRXJGC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 120V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 7.8mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 21nC
Gehäusegröße: PG-TDSON-8
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 85A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 125W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: N-Kanal MOSFET
Serie: ISC

Produktbeschreibung

Produkt Typ = N-Kanal MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 85A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 120V
Gehäusegröße = PG-TDSON-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 7.8mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 21nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
Automobilstandard = Nein

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