Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 164 A 217 W, 8-Pin PG-TDSON-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

164A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

217W