Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 192 A 245 W, 8-Pin TDSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2.24mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 91nC
- Gehäusegröße
- TDSON
- Höhe
- 5.1mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 192A
- Länge
- 6.1mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 245W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- ISC
Produktbeschreibung
MOSFET
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
* zzgl. Versandkosten