Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 179 A 75 W, 8-Pin TDSON

Name: Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 179 A 75 W, 8-Pin TDSON
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: ISC030N10NM6ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRDX2C-DRM4JF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 2.8mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 38nC
Gehäusegröße: TDSON
Höhe: 4.4mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 179A
Länge: 3.8mm
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 75W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: ISC

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 179A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = TDSON
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.8mΩ
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 38nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Automobilstandard = Nein

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