Infineon ISA Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9.6 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

17mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6nC

Gehäusegröße

PG-DSO-8

Kabelkanaltyp

Zweifach N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

9.6A

Maximale Betriebstemperatur

150°C