Infineon ISA Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.4 A 2.5 W, 3-Pin PG-TO252-3
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 22mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gehäusegröße
- PG-TO252-3
- Höhe
- 1.75mm
- Kabelkanaltyp
- Typ P, Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 8.4A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2.5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- ISA
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 8.4A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = PG-TO252-3
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 22mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2.5W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.2mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET