Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.2 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 23.3mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 14nC
- Gehäusegröße
- PG-DSO-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N, Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 10.2A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2.5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- ISA
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 10.2A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = PG-DSO-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 23.3mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 14nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.2mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET