Infineon IRFS7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 426 A 375 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 1.2mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 460nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Höhe
- 9.65mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 426A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 375W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IRFS7
Produktbeschreibung
Der 40-V-Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Er verfügt über ein Gehäuse vom Typ D2PAK (TO-263). Es ist für Anwendungen geeignet, bei denen das Schalten weniger als 100 kHz beträgt.Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit Bleifrei
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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