Infineon IRFR5305PBF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252

Name: Infineon IRFR5305PBF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFR5305TRLPBF

Produkt-Nr.: P-DP73JL-DRM2LH

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 55V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 65mΩ
Durchlassspannung (Vf): -1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 63nC
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 31A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 110W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: IRFR5305PBF

Produktbeschreibung

Der Infineon IRFR5305 ist der 55-V-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in einem D-Pak-Gehäuse. Das D-Pak wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.Advanced Prozesstechnologie Schnelle Schaltgeschwindigkeit Vollständig lawinengeprüft Ohne Leitung

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