Infineon IRFH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 11 A 81 W, 8-Pin PQFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.7mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

80nC

Gehäusegröße

PQFN

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

11A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

81W