Infineon IRF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.035Ω

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

61nC

Gehäusegröße

SO-8

Höhe

1.75mm

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

10A

Maximale Betriebstemperatur

150°C