Infineon IQE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 205 A, 9-Pin WHTFN

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gehäusegröße

WHTFN

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

205A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No

Pinanzahl

9