Infineon IQE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 253 A 81 W, 8-Pin PQFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.85mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.73V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

80nC

Gehäusegröße

PQFN

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

253A

Länge

3.3mm

Maximale Betriebstemperatur

150°C