Infineon IQE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET / 205 A TSON
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 35mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gehäusegröße
- TSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 205A
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IQE
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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