Infineon IPTG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 408 A 375 W, 8-Pin HSOG

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.1mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

178nC

Gehäusegröße

HSOG

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

408A

Maximale Betriebstemperatur

175°C