Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 396 A 375 W, 16-Pin HDSOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.2mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

175nC

Gehäusegröße

HDSOP

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

396A

Maximale Betriebstemperatur

175°C