Infineon IPT60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 75 A 391 W, 8-Pin HSOF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

28mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

123nC

Gehäusegröße

HSOF

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

75A

Maximale Betriebstemperatur

150°C