Infineon IPT60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 167 W, 8-Pin HSOF
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 80mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.8V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 42nC
- Gehäusegröße
- HSOF
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 29A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 167W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IPT60R
Produktbeschreibung
Die Infineon CoolMOS TM C7 Gold Superjunction MOSFET-Serie (G7) vereint die Vorteile der verbesserten 600-V-CoolMOS TM C7-Gold-Technologie, 4-polige Kelvin-Quellfähigkeit und die verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless (TOLL)-Gehäuses, um eine mögliche SMD-Lösung für Starkstrom-Hartschalungstopologien wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) bis zu 3 kW und für Schwingkreise wie High End LLC zu ermöglichen.Bietet erstklassige FOM R DS(on)xE oss und R DS(on)XQ G Ermöglicht Best-in-Class R DS(on) auf kleinstem Raum
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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