Infineon IPT010N08NM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 43 A 375 W, 8-Pin HSOF

Name: Infineon IPT010N08NM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 43 A 375 W, 8-Pin HSOF
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPT010N08NM5ATMA1

Produkt-Nr.: P-DP84GF-DR4BRK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 1.05mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 178nC
Gehäusegröße: HSOF
Höhe: 2.4mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 43A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 375W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: IPT010N08NM5

Produktbeschreibung

Der Infineon IPT010N08NM5 ist der 1-N-Kanal OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET 80 V 1,05 mΩ 425 A in einem TOLL-Gehäuse. Die Siliziumtechnologie OptiMOS 5 ist eine neue Generation von Leistungs-MOSFETs und wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung für Telekommunikations- und Servernetzteile entwickelt.Erhöhte Leistungsdichte Niederspannungs-/Überschwingen Weniger Parallelschaltung erforderlich Höchste Systemeffizienz Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

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