Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 169 A 167 W, 8-Pin PG-HSOF-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.9mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

7nC

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

169A

Maximale Betriebstemperatur

175°C